高盛：存儲市場供應(yīng)短缺情況將持續(xù)至2028年。
高盛5月31日發(fā)布研究觀點(diǎn)預(yù)計(jì)，到2027年，傳統(tǒng)DRAM、NAND和HBM的供需狀況都將較2026年更為緊張，且這種緊張態(tài)勢將持續(xù)至2028年，這將有助于存儲器企業(yè)在未來數(shù)年內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的盈利水平。該機(jī)構(gòu)認(rèn)為市場尚未充分認(rèn)識到當(dāng)前存儲器行業(yè)上行周期的持久性，大多數(shù)存儲器股票的市盈率仍低至中個位數(shù)水平便是明證。高盛在研究報(bào)告中重點(diǎn)指出三點(diǎn)。其一，需求前景更為明朗，服務(wù)器和人工智能設(shè)備配置比例顯著提升且代理型AI應(yīng)用持續(xù)擴(kuò)展；其二，因產(chǎn)能擴(kuò)張步伐放緩且HBM交易占比更高，供應(yīng)增長受限；其三，客戶通過長期協(xié)議作出更明確承諾，并實(shí)施更高效的資本支出規(guī)劃。
以上因素將推動需求持續(xù)超越供給，從而形成更長的上升周期。機(jī)構(gòu)甚至預(yù)期，即便到2028年，DRAM/NAND/HBM市場仍將面臨供應(yīng)短缺?；趯π袠I(yè)供需趨緊的判斷，高盛上調(diào)了對存儲芯片制造商DRAM、NAND及HBM產(chǎn)品的定價預(yù)期。預(yù)計(jì)三星電子的傳統(tǒng)DRAM平均銷售價格在2026財(cái)年和2027財(cái)年將分別同比增長326%和27%，NANDASP則分別增長283%和33%；
同時堅(jiān)持看漲觀點(diǎn)：HBMASP相較于傳統(tǒng)DRAM實(shí)現(xiàn)“追趕"效應(yīng)，有望推動其在2027財(cái)年實(shí)現(xiàn)約50%的同比增幅，并分別帶動2026財(cái)年、2027財(cái)年及2028財(cái)年的HBM市場總規(guī)模達(dá)到560億美元、1160億美元和1680億美元。