13小時前
三星HBM5將用2納米工藝，速度較HBM4E提升50%以上
三星電子于7月27日確認，其第八代高帶寬內(nèi)存HBM5將在基礎(chǔ)芯片上采用2納米GAA工藝，目標是將運行速度較HBM4E提升約50%以上。HBM5同時引入更高密度TSV、1cnm核心制程及HPB散熱結(jié)構(gòu)，并預(yù)計在2028年前后量產(chǎn)，以服務(wù)快速增長的AI與高性能計算市場。
12 來源
三星官宣HBM5技術(shù)路線：2納米GAA鎖定50%速度增幅
關(guān)鍵技術(shù)升級：2納米GAA、TSV與全新散熱架構(gòu)
與HBM4E及競品對比：性能、電力效率與工藝協(xié)同
行業(yè)影響與展望：AI時代HBM格局重塑
本內(nèi)容由AI生成